IBM e Samsung: baterias vão durar até uma semana com novo chip

Na abertura de 67º Encontro Internacional de Dispositivos Eletrônicos (IEDM), realizada em São Francisco (EUA) no último sábado (11), a IBM e a Samsung anunciaram o desenvolvimento conjunto de uma nova tecnologia que promete revolucionar a performance de aparelhos eletrônicos, inclusive celulares. A inovação envolve um novo projeto no design para os futuros semicondutores.

Chamado de Transistores de Efeito de Campo de Transporte Vertical (VTFET na sigla em inglês), a nova tecnologia, que promete aposentar a atual FinFET, consiste em um design que empilha transistores verticalmente em um chip. Isso permite que esses dispositivos semicondutores fiquem planos na superfície do silício, com os processadores de corrente e SoCs, permitindo que a corrente elétrica flua para cima e para baixo na pilha.

A novidade representa um ganho em relação à atual tecnologia dos transistores de efeito de campo nadadeira (FinFET), que utiliza um layout horizontal lado a lado. Essa arquitetura, criada pela Intel, foi a primeira a utilizar transistores 3D em um design em forma de nadadeira de peixe.

Quais as vantagens do VTFET?

De acordo com a IBM e a Samsung, a grande vantagem do VTFET é que a posição dos transistores garante um maior fluxo de corrente, com menos desperdício de energia. Isso permite produzir processadores duas vezes mais rápidos que os atuais, e com uma economia de 85% de energia em relação aos chips projetados com a arquitetura FinFET atual.

No dia a dia, afirmam as gigantes da tecnologia, o uso de processadores construídos com a nova tecnologia poderia levar à fabricação de smartphones capazes de funcionar uma semana inteira com uma única carga de bateria. Tarefas que atualmente consomem muita energia, como a criptomineração, poderiam ser executadas de forma eficiente, causando menos impactantes para o meio ambiente.