Samsung pode ser processada por quebra de patente da tecnologia FinFET
05/12/2016 - 07:48•1 min de leitura
No mundo da tecnologia é comum testemunharmos uma série de processos que são finalizados em questão de pouco tempo devido a acordos extrajudiciais. Companhias como Apple, Samsung, Microsoft e Google, entre outras, têm um verdadeiro exército de advogados destinados a tratar dessas questões, que são consideradas algo “cotidiano” na indústria.
Dessa forma, não surge exatamente como surpresa o fato de que a Samsung está sendo alvo de um processo iniciado pelo Korea Instute of Science and Technology (KAITS), que acusa a companhia sul-coreana de quebrar patentes relacionadas à tecnologia FinFET. A solução tecnológica é um dos principais pontos de orgulho da fabricante, também sendo usada em produtos concorrentes como o chipset Snapdragon 835 da Qualcomm.
A Samsung continuou copiando a invenção sem autoridade ou compensação adequada
A KAIST afirma ter sido a responsável pelo desenvolvimento da tecnologia FinFET de 10 nanômetros, que teria sido roubada pela Samsung. Segundo a organização, isso aconteceu quando a empresa sul-coreana pediu que Lee Jong-ho, professor da Universidade Nacional de Seoul e criador da tecnologia FinFET, explicasse seu funcionamento a alguns engenheiros da companhia.
“A Samsung conseguiu reduzir o tempo de desenvolvimento e seu custo ao copiar a invenção de Lee sem custos. A Samsung continuou copiando a invenção sem autoridade ou compensação adequada”, afirma a acusação. A KAIST também abriu processos semelhantes contra a Qualcomm e a TSMC — a Intel só ficou fora dessa lista porque estabeleceu um acordo de licenciamento antes que uma disputa fosse iniciada nos tribunais
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